IBM Research, sus socios GlobalFoundries y Samsung han desarrollado un proceso pionero de elaboración industrial de 30.000 millones de transistores de silicio capaces de encajar en un chip de 5 nanómetros. A pesar de que aún habrá que esperar para el lanzamiento de su versión comercial, esta innovación supone un importante avance tecnológico.
Antes de llegar hasta aquí, concretamente hace dos años, estos mismos desarrolladores crearon un chip de prueba de 7 nm con 20.000 millones de transistores. Según ha avanzado IBM a través de su página web, se ha utilizado este mismo proceso, EUV – extreme ultraviolet lithography-, que será presentado en el Simposio de Tecnología VLSI y Circuitos que se celebrará en Kioto (Japón), del 5 al 9 de junio. El avance revitalizará la industria que se ocupa de crear chips y mantendrá a la tecnología en el camino marcado por la Ley de Moore: el número de transistores se irá duplicando cada dos años, tal como hemos podido leer en Xataka.
A día de hoy, otras compañías como Intel han logrado embutir 15.000 millones de transistores usando el proceso FinFET. Pero estos científicos han creado estos nuevos chips de 5 nm a través de ‘nanosheets’ de silicio como estructura del transistor, en lugar de emplear la arquitectura FinFET, estandarizada en la industria de semiconductores hasta la tecnología de nodo de 7 nm.
El chip de 5 nanómetros ofrece un 40% más de rendimiento
En este sentido, un chip de 5 nm basado en semiconductores ‘nanosheet’ es capaz de ofrecer un 40% más de rendimiento y un ahorro de un 75% de energía con respecto a un chip actual de 10nm, según han destacado las empresas impulsoras.
¿Qué se puede conseguir? Esa mejora del rendimiento de los chips puede beneficiar a tecnologías como la inteligencia artificial cognitiva, el Internet de las Cosas o las aplicaciones en la nube. Además, podría conllevar un mayor ahorro energético con respecto a nuestros móviles, cuyas baterías durarían el doble o el triple de tiempo.
Fotografías: IBM News
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